丝印：5630；Package：SOT-23；60V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23 footprint. Fairchild’s PowerTrench technol

文件：254.3 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：5630；60V N-Channel PowerTrench® MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23 footprint. Fairchild’s PowerTrench technology

文件：231.27 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 60V ● RDS(ON)

文件：107.4 Kbytes 页数：2 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：5630；Package：SOT-23；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

APPLICATIONS • Battery Switch • DC/DC Converter

文件：749.03 Kbytes 页数：7 Pages

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel MOSFET

文件：1.15228 Mbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子

N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，1.7A，100mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 这款 MOSFET 拥有较小的 SOT23 尺寸，可实现非常低的 RDS(ON)。 与其他具有同等 RDS(ON)规格的 MOSFET 相比，利用飞兆的 PowerTrench 技术可实现更快的开关速度。 这样一来，总体效率更高，所需的电路板空间更小。 •1.7 A、60 V、RDS(ON) = 0.100 Ω（VGS = 10 V）， RDS(ON) = 0.120 Ω（VGS = 6 V）。\n• RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V\n• RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V\n•专门针对高频 DC/DC 转换器应用进行了优化。\n•低栅极电荷。\n•极快速开关。\n•SuperSOT™ - 3 能够以 SOT23 尺寸实现较低的 RDS(ON)。;

ONSEMI

安森美半导体

场效应管

HXY MOSFET

华轩阳电子

N-Channel MOSFET

文件：973.6 Kbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件：1.035089 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体