首页>FDP027N08B>规格书详情

FDP027N08B中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,223A,2.7mΩ数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FDP027N08B

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,223A,2.7mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-21 20:00:00

人工找货

FDP027N08B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDP027N08B规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 2.21mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 100A
•低FOM RDS(on) *QG
•低反向恢复电荷,Qrr = 112nC
•反向恢复软体二极管
•使能高效同步整流
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 电动自行车
• 工业级电机
• 其他数据处理
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP027N08B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :223

  • PD Max (W)

    :246

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :137

  • Ciss Typ (pF)

    :10170

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ON/安森美
24+
NA/
80
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
FSC进口原
25+
TO-220
134
原装正品,假一罚十!
询价
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
FAIRCHILD/仙童
12+
TO-220
89
询价
ONSEMI
23+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
24+
TO-220-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
FAIRCHILD
25+23+
TO220
37160
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
ON/安森美
21+
TO-220-3
8080
只做原装,质量保证
询价
ON
22+
TO-220
2400
原装现货 支持实单
询价