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FDP036N10A中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，214A，3.6mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDP036N10A规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 3.2mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷，QG = 89nC（典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 电动自行车
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDP036N10A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：214
- PD Max (W)
：333
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3.6
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：89
- Ciss Typ (pF)
：5485
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
330 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
5902 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO220-3 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
4400 |
全新原装!优势库存热卖中! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-220 |
32000 |
原装现正品可看现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220 |
10730 |
原装正品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
