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FDP036N10A数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDP036N10A

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,214A,3.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 12:12:00

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FDP036N10A规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 3.2mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷,QG = 89nC(典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 电动自行车
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP036N10A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :214

  • PD Max (W)

    :333

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :89

  • Ciss Typ (pF)

    :5485

  • Package Type

    :TO-220-3

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