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FDP039N08B中文资料N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDP039N08B规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 3.16mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 100A
•低 FOM RDS(on)*QG
•低反向恢复电荷,Qrr = 87.9nC
•反向恢复软体二极管
•使能高效同步整流
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 电动自行车
• 工业级电机
• 其他数据处理
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
:FDP039N08B
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
:80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:171
- PD Max (W)
:214
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:3.9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:102
- Ciss Typ (pF)
:7105
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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NA/ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO220 |
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TO-220 |
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原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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