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FDP039N08B中文资料N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP039N08B

功能描述

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 20:00:00

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FDP039N08B规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 3.16mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 100A
•低 FOM RDS(on)*QG
•低反向恢复电荷,Qrr = 87.9nC
•反向恢复软体二极管
•使能高效同步整流
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 电动自行车
• 工业级电机
• 其他数据处理
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP039N08B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :171

  • PD Max (W)

    :214

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.9

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :102

  • Ciss Typ (pF)

    :7105

  • Package Type

    :TO-220-3

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