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FDP038AN06A0中文资料N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,80A,3.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP038AN06A0

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,80A,3.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 20:00:00

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FDP038AN06A0规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 3.8 mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 3.5mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A
•QG(tot) = 96nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 其他数据处理
• 其他车用
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP038AN06A0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :310

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :96

  • Ciss Typ (pF)

    :6400

  • Package Type

    :TO-220-3

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