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FDP083N15A中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，117A，8.3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDP083N15A规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 6.85mΩ （典型值）@ VGS = 10V，ID = 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷，QG = 64.5nC（典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 不间断电源
• 其他数据处理
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDP083N15A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：117
- PD Max (W)
：294
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：8.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：64.5
- Ciss Typ (pF)
：4645
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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