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FDP18N50中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,18 A,265 mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP18N50

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,18 A,265 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 17:30:00

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FDP18N50规格书详情

描述 Description

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 265mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 9A栅极电荷低(典型值:45nC)
•低 Crss(典型值25pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP18N50

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :18

  • PD Max (W)

    :235

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :265

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :45

  • Ciss Typ (pF)

    :2200

  • Package Type

    :TO-220-3

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