FDP2614中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，200V，62A，27mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDP2614规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 22.9mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 31A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 消费型设备
• Synchronous Rectification
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FDP2614
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：62
- PD Max (W)
：260
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：27
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：76
- Ciss Typ (pF)
：5435
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
Fairchi |
24+ |
TO-220 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220(TO-220-3) |
12000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
16+ |
TO-220 |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSemi |
21+ |
TO-220-3 |
8593 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-220 |
6500 |
全新原装现货,欢迎询购!! |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
TO220 |
55740 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 |
