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|---|---|---|---|---|
FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：349.21 Kbytes 页数：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | Fairchild | |
FDP2614 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：328.02 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
FDP2614 | N 沟道，PowerTrench® MOSFET，200V，62A，27mΩ 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 22.9mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 31A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Silicon Standard Recovery Diode 文件：602.86 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
Silicon Standard Recovery Diode 文件：589.23 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
Silicon Standard Recovery Diode 文件：589.43 Kbytes 页数：3 Pages | GENESIC | GENESIC |
技术参数
- Pb-free：
Pb
- Status：
Active
- Channel Polarity：
N-Channel
- Configuration：
Single
- V(BR)DSS Min (V)：
200
- VGS Max (V)：
±30
- VGS(th) Max (V)：
5
- ID Max (A)：
62
- PD Max (W)：
260
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
27
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
76
- Ciss Typ (pF)：
5435
- Package Type：
TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
24+ |
TO-220 |
6500 |
全新原装现货,欢迎询购!! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
25+ |
TO-220 |
22412 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ON |
21+有挂就有货 |
TO-220-3 |
1060 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220 |
8866 |
询价 | |||
Fairchi |
24+ |
TO-220 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220 |
34770 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
17PB |
TO-220 |
65 |
普通 |
询价 | ||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
3134 |
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询价 |
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更新时间2026-1-7 16:34:00
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