首页>FDP55N06>规格书详情

FDP55N06数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDP55N06

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,60 V,55 A,22mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 16:30:00

人工找货

FDP55N06价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDP55N06规格书详情

描述 Description

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 22 mΩ (最大值),需 VGS = 10 V、ID = 27.5 A栅极电荷低(典型值:30nC)
•低 Crss(典型值60pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 其他数据处理
• Power Factor Correction

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP55N06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :55

  • PD Max (W)

    :114

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :1160

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
24+
TO-220
8866
询价
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO220
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
询价
onsemi(安森美)
24+
TO-220
7828
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
FAIRCHILD
23+
TO-220
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
询价
ON/安森美
24+
TO-220(TO-220-3)
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ONSEMI/安森美
24+
TO-220
39197
郑重承诺只做原装进口现货
询价
Fairchild/ON
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ON/安森美
23+
TO-220(TO-220-3)
8080
正规渠道,只有原装!
询价
FAI
24+
NA
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价
安森美
21+
12588
原装现货,价格优势
询价