FDP7030BL中文资料N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，60A，9mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

•60 A，30 V
•RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
•在高温下指定的临界DC电气参数
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•175°C最大结温额定值

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.