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FDP39N20	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP39N20	文件：908.49 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitable	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP39N20	文件：1.07604 Mbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP39N20	文件：328.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP39N20_07	文件：1.07604 Mbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
39N20	文件：176.81 Kbytes Page：5 Pages	39A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
FDPF39N20	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDPF39N20	文件：1.07604 Mbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDPF39N20	文件：318.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDPF39N20TLDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FDP39N20
功能描述：
MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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