FDPF18N20FT

N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh

FDPF18N20FT

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FDPF18N20FT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

FDPF18N20FT

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，200 V，18 A，140 mΩ，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(; •RDS(on) = 120mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A栅极电荷低（典型值：20nC)\n•低 Crss（典型值24pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant\n;

FDPF18N20FT_G

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，200V，18A，140mΩ，TO-220F

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(; •RDS(on) = 120mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A栅极电荷低（典型值：20nC)\n•低 Crss（典型值24pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant\n;