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FDPF18N20FT中文资料功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,200 V,18 A,140 mΩ,TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FDPF18N20FT规格书详情
描述 Description
UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。因此,它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 120mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 9A栅极电荷低(典型值:20nC)
•低 Crss(典型值24pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Consumer Appliances
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
:FDPF18N20FT
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:200
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:18
- PD Max (W)
:41
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:140
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:20
- Ciss Typ (pF)
:885
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FCS |
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