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FDPF13N50FT中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，12 A，540 mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FDPF13N50FT规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 420mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A
•低栅极电荷（典型值 30nC）
•低 Crss（典型值 14.5pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FDPF13N50FT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：12
- PD Max (W)
：42
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：540
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：540
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：30
- Ciss Typ (pF)
：1450
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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