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FDPC8013S数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDPC8013S

功能描述

30 V 不对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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FDPC8013S规格书详情

描述 Description

该器件在双封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制SyncFETTM(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

特性 Features

• Q1: N沟道
•VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 9.6mΩQ2: N沟道
•VGS = 4.5 V,ID = 22 A时,最大rDS(on) = 2.7mΩ
•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局

应用 Application

• 配电
• 其他有线通信
• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load

技术参数

  • 制造商编号

    :FDPC8013S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1:13.0 Q2: 26.0

  • PD Max (W)

    :Q1: 1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 9.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 6.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :43

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :2785

  • Package Type

    :PQFN-8

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