FDPC8013S数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDPC8013S规格书详情
描述 Description
该器件在双封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制SyncFETTM(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。
特性 Features
• Q1: N沟道
•VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 9.6mΩQ2: N沟道
•VGS = 4.5 V,ID = 22 A时,最大rDS(on) = 2.7mΩ
•低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
•MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
应用 Application
• 配电
• 其他有线通信
• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load
技术参数
- 制造商编号
:FDPC8013S
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:30
- VGS Max (V)
:20
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:Q1:13.0 Q2: 26.0
- PD Max (W)
:Q1: 1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1: 9.6
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1: 6.4
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:43
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:21
- Ciss Typ (pF)
:2785
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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ON/安森美 |
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