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FDP8860中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,80A,2.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP8860

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,80A,2.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:46:00

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FDP8860规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性 Features

• 最大值 RDS(on) = 2.5mΩ(VGS = 10V, ID = 80A)
• 最大值 RDS(on) = 2.9mΩ(VGS = 4.5V, ID = -80A)
• 低米勒电荷
• 低Qrr体二极管
• UIL能力(单脉冲和重复脉冲)
• 符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC-DC Conversion
• Start / Alternator Systems

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP8860

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :254

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :81

  • Ciss Typ (pF)

    :9200

  • Package Type

    :TO-220-3

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