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FDP80N06数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDP80N06

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,60 V,80 A,10 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:00:00

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FDP80N06规格书详情

描述 Description

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 10 mΩ (最大值),需 VGS = 10 V、ID = 40 A栅极电荷低(典型值:57nC)
•低 Crss(典型值145pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
• Improved dv/dt Capability
• RoHS Compliant

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP80N06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :176

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :10

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :57

  • Ciss Typ (pF)

    :2450

  • Package Type

    :TO-220-3

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