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FDP5800中文资料N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V,80A,6mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP5800

功能描述

N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V,80A,6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:00:00

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FDP5800规格书详情

描述 Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

特性 Features

•RDS(on) = 4.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•低栅极电荷
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 运动控制-工业电机
• 其他工业
• 不间断电源
• Power Tools
• Synchronous Rectification
• Battery Protection Circuit

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP5800

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :242

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :58

  • Ciss Typ (pF)

    :6890

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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