isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，60 V，80 A，10 mΩ，TO-220

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 10 mΩ （最大值），需 VGS = 10 V、ID = 40 A栅极电荷低（典型值：57nC)\n•低 Crss（典型值145pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n• Improved dv/dt Capability\n• RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

Superior Avalanche Rugged Technology

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SEMIHOW