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HM80N06K	文件：570.21 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM80N06K；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：570.21 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM80N06KA	文件：708.19 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM80N06KA；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：708.19 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM80N06KA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HRD80N06K	文件：1.01137 Mbytes Page：9 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology 文件：1.01137 Mbytes 页数：9 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HRLD80N06K	文件：265.96 Kbytes Page：8 Pages	Originative New Design 文件：265.96 Kbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
HRLF80N06K	文件：190.53 Kbytes Page：7 Pages	100 Avalanche Tested 文件：190.53 Kbytes 页数：7 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
80.00A
IDM：
180.00A
VTH(Typ)：
1.30V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
6.50mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
CEP80N06/NTP80N06/MTP80N06/RFP80N06/SUP80N06/AOT2606/AOT2608/IRFZ48V/IRF1018E

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