FDP7N60NZ中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25 Ω，TO-220数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 1.05Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A栅极电荷低（典型值：13nC)
•低 Crss（典型值7pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.