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FDP8447L中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,8.7mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP8447L

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,8.7mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:00:00

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FDP8447L规格书详情

描述 Description

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体专有的PowerTrench技术生产,以提供低rDS(on)和优化的BVDSS能力,从而在应用中提供卓越的性能优势。

特性 Features

•最大rDS(on) = 8.7mΩ(VGS = 10V, ID = 14A)
•VGS = 4.5V,ID = 11A时,最大rDS(on) = 11.2mΩ
•快速开关
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Inverter
• Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP8447L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :11.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :56

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :19

  • Ciss Typ (pF)

    :1880

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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