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FDP8442_F085中文资料40 V、80 A、2.3 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench®数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP8442_F085

功能描述

40 V、80 A、2.3 mΩ、TO-220N 沟道 PowerTrench®

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:14:00

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FDP8442_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® 40 V, 80 A, 3.1 mΩ

特性 Features

•典型 rDS(on) = 2.3 mΩ (VGS = 10 V、ID = 80 A)
•VGS = 10V时,Qg(10) = 181nC(典型值)
•低米勒电荷
•低 Qrr体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP8442_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel PowerTrench® 40V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :254

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :181

  • Ciss Typ (pF)

    :12200

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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