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FDPC3D5N025X9D数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDPC3D5N025X9D规格书详情
描述 Description
该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q2) 和同步 MOSFET(Q1) 设计用于提供最佳电源效率。
特性 Features
• Q1: N沟道
• 最大 rDS(on) = 3.01 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18 A)
• 最大 rDS(on) = 3.67 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 16 A)Q2: N沟道
• 最大 rDS(on) = 3.01 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18 A)
• 最大 rDS(on) = 3.67 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 16 A)
应用 Application
• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load
技术参数
- 制造商编号
:FDPC3D5N025X9D
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:25
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:3
- ID Max (A)
:Q1=Q2= 74.0
- PD Max (W)
:26
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1: 3.67
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1: 3.01
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:28
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:17
- Ciss Typ (pF)
:2385
- Package Type
:WQFN-12
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
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