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FDPC3D5N025X9D中文资料25V 对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDPC3D5N025X9D

功能描述

25V 对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 9:19:00

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FDPC3D5N025X9D规格书详情

描述 Description

该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q2) 和同步 MOSFET(Q1) 设计用于提供最佳电源效率。

特性 Features

• Q1: N沟道
• 最大 rDS(on) = 3.01 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18 A)
• 最大 rDS(on) = 3.67 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 16 A)Q2: N沟道
• 最大 rDS(on) = 3.01 mΩ(VGS = 10 V、ID = 18 A)
• 最大 rDS(on) = 3.67 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 16 A)

应用 Application

• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load

技术参数

  • 制造商编号

    :FDPC3D5N025X9D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :25

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1=Q2= 74.0

  • PD Max (W)

    :26

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 3.67

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 3.01

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :28

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :17

  • Ciss Typ (pF)

    :2385

  • Package Type

    :WQFN-12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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