FDPC8016S中文资料25V,不对称双 N 沟道,PowerTrench® Power Clip MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDPC8016S规格书详情
描述 Description
该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制SyncFETTM(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。
特性 Features
• Q1:N 沟道
• 最大值 rDS(on) = 3.8 mΩ(VGS = 10 V, ID = 20 A)
• 最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 18 A)Q2:N 沟道
• 最大值 rDS(on) = 1.4 mΩ(VGS = 10 V, ID = 35 A)
• 最大值 rDS(on) = 1.7 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 32 A)
应用 Application
• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load
技术参数
- 制造商编号
:FDPC8016S
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:25
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:2.5
- ID Max (A)
:Q1: 20.0
- PD Max (W)
:Q1: 21
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1: 4.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1: 3.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:31
- Ciss Typ (pF)
:4715
- Package Type
:PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
QFN |
32360 |
ONSEMI/安森美全新特价FDPC8016S即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
QFN |
7200 |
只做原装支持终端 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN8 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON |
21+ |
QFN |
1356 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
PQFN-8 |
26800 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
7850 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
询价 |


