FDPC8014S中文资料25V 不对称双 N 沟道 PowerTrench® Power Clip MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDPC8014S规格书详情
描述 Description
该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制SyncFETTM(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。
特性 Features
• Q1： N-沟道
• 最大值 rDS(on) = 3.8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 20 A时）
• 最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 18 A时）Q2： N-沟道
• 最大值 rDS(on) = 1.2 mΩ（VGS = 10 V, ID = 41 A时）
• 最大值 rDS(on) = 1.4 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 37 A时）
应用 Application
• Computing
• Communications
• General Purpose Point of Load
技术参数
- 制造商编号
：FDPC8014S
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：25
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：Q1: 20.0
- PD Max (W)
：Q1: 21
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1: 4.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 3.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：43
- Ciss Typ (pF)
：6580
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-8-EP(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
DFN56B-8-EP |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1715+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
8600 |
正品原装,正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | |||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 |
