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FDPF041N06BL1中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDPF041N06BL1

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:58:00

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FDPF041N06BL1规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild®先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制。

特性 Features

•RDS(on) = 3.5 mΩ(典型值) @ VGS = 10 V, ID = 77 A
•低 FOM RDS(on)*QG
•低反向恢复电荷,Qrr
•反向恢复软体二极管
•使能高效同步整流
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Renewable System

技术参数

  • 制造商编号

    :FDPF041N06BL1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :77

  • PD Max (W)

    :44.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :53

  • Ciss Typ (pF)

    :4280

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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