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FDPF18N20FT_G中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，200V，18A，140mΩ，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FDPF18N20FT_G规格书详情
描述 Description
UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 120mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A栅极电荷低（典型值：20nC)
•低 Crss（典型值24pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Consumer Appliances
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FDPF18N20FT_G
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：18
- PD Max (W)
：35
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：140
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：20
- Ciss Typ (pF)
：885
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
fsc |
23+ |
NA |
1136 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-220F |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHI |
15 |
TO-220F |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | ||
FSC |
18+ |
TO-220P |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
3000 |
全新原装环保现货 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
FAI |
24+ |
1010 |
询价 | ||||
TO-220F |
3196 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | ||||
VBsemi/台湾微碧 |
23+ |
TO-220F |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 |
