300V N-Channel MOSFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.29Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

Power MOSFET，N 沟道，UniFETTM，300 V，14 A，290 mΩ，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 290mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 7A\n•低栅极电荷（典型值 18nC） \n•低 Crss（典型值 17pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UniFET MOSFET 300 V, 14 A, 290 m

文件：393.81 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司