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FDPF12N50UT

N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET?

Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor®’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.UniFETUltraFRFETTMMOSFEThas

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FMC12N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

FMC12N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FMC12N50ES

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FMC12N50ES

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

FMI12N50E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

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N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

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N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

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N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

详细参数

  • 型号:

    FDPF12N50UT

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 10A N-Chan Ultra FRFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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BOM配单专家,发货快,价格低
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更多FDPF12N50UT供应商 更新时间2025-5-16 11:04:00