250V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：696.16 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：327.8 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：FDP2710；Package：TO220；Channel PowerTrench® MOSFET 250V, 50A, 47mΩ

General Description This N-Channel MOSFET is produced using ON Semi-conductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features -Typ rDS(on) = 38mΩ at VGS = 10V, ID = 50A -Typ Qg(TOT)

文件：520.059 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 250V，50A，42.5mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 36.3mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 25A\n•低栅极电荷\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 250V, 50A, 47m廓

文件：442.74 Kbytes 页数：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件：442.74 Kbytes 页数：1 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，250V，50A，47mΩ

这一N沟道 MOSFET 器件采用飞兆的先进 PowerTrench 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •典型rDS(on) = 38mΩ （VGS = 10V, ID = 50A 时）\n•在VGS = 10V时，Qg(TOT) = 78nC（典型值）\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 AEC Q101 标准\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体