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LT3652IDD	文件：260.769 Kbytes Page：26 Pages	PowerTracking2ABatteryChargerforSolarPower	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3652IDDPBF	文件：260.769 Kbytes Page：26 Pages	PowerTracking2ABatteryChargerforSolarPower	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
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LTC3652	文件：405.87 Kbytes Page：18 Pages	PiezoelectricEnergyHarvestingPowerSupplywith14VMinimumVIN	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MDS3652	文件：906.8 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelTrenchMOSFET,-30V,-11A,17m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDS3652URH	文件：906.8 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-ChannelTrenchMOSFET,-30V,-11A,17m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
OB3652P	文件：644.62 Kbytes Page：8 Pages	HighPrecisionOfflineLEDPowerSwitch GENERALDESCRIPTION OB3652PisaprimarysidecontrolofflineLED lightingcontrollerwithverylowoperationcurrent whichcanachieveaccurateLEDcurrentforan isolatedlightingapplicationinasinglestage converter. ItsignificantlysimplifiestheLEDlightingsystem designbyelimin	ONBRIGHTOn-Bright Electronics Co., Ltd. 昂宝电子昂宝电子(上海)有限公司	ONBRIGHT

详细参数

型号：
FDB3652_Q
功能描述：
MOSFET N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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