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FDB8160

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.8mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:328.94 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDB8160

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 80A, 1.8m廓

文件:329.97 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB8160

N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 80A, 1.8mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDB8160_F085

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:329.97 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    FDB8160

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • RoHS:

    是

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    PowerTrench®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FSC/ON
26+
原包装原封 □□
17624
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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FAIRCHILD
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TO-263
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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更多FDB8160供应商 更新时间2026-10-29 18:47:00