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FDB8132	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：328.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB8132	文件：338.38 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 80A, 1.6m廓文件：338.38 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDB8132	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 80A, 1.6mΩ	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB8132-F085	文件：338.38 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 30V, 80A, 1.6m廓文件：338.38 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FDB8132
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
*
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDB8132供应商更新时间2026-1-17 22:59:00

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