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FDB4020P	文件：51.36 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor Features ●-16A,-20V. RDS(on)=0.08Ù@VGS=-4.5V RDS(on)=0.11Ù@VGS=-2.5V. ●CriticalDCelectricalparametersspecifiedatelevatedtemperature. ●HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(on).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FDB4020P	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ThisP-ChannellowthresholdMOSFEThasbeendesignedforuseasalinearpasselementforlowvoltageoutputs.Inaddition,thepartmaybeusedasalowvoltageloadswitchwhenswitchingoutputsonoroffforpowermanagement.ThepartmayalsobeusedinconjunctionwithDC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB4020P	文件：79.87 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4020	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannellowthresholdMOSFEThasbeendesignedforuseasalinearpasselementforlowvoltageoutputs.Inaddition,thepartmaybeusedasalowvoltageloadswitchwhenswitchingoutputsonoroffforpowermanagement.ThepartmayalsobeusedinconjunctionwithDC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4020P	文件：79.87 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4020P	文件：213.32 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannellowthresholdMOSFEThasbeendesignedforuseasalinearpasselementforlowvoltageoutputs.Inaddition,thepartmaybeusedasalowvoltageloadswitchwhenswitchingoutputsonoroffforpowermanagement.ThepartmayalsobeusedinconjunctionwithDC	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4020P	文件：326.34 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.08Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FPI4020	文件：68.83 Kbytes Page：2 Pages	MINIBRIDGE25,40,50and60AMPEREBRIDGERECTIFIERS MINIBRIDGE25,40,50and60AMPEREBRIDGERECTIFIERS INTEGRALLYMOLDED HEATSINKS PROVIDEVERYLOW THERMALRESISTANCE	edi Electronic devices inc.	edi
FPI4020W	文件：66.3 Kbytes Page：2 Pages	40/50AMPERESBRIDGERECTIFIERSWIRELEADSFORPCBOARDS	edi Electronic devices inc.	edi
G4020	文件：432.14 Kbytes Page：1 Pages	UL94V-0PBTimpeller&frame	MECHATRONICS Mechatronics, Inc.	MECHATRONICS

详细参数

型号：
FDB4020P
功能描述：
MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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