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详细参数

型号：
FDB5800_F085
功能描述：
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FDB5800_F085	Fairchild/ON	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	FDB5800_F085	Fairchild	23+		33500		询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	FDB5800_F085	NK/南科功率	2025+	TO-263-2	986966	国产	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	FDB5800-VB	VBSEMI/微碧半导体	24+	TO263	60000	全新原装现货	询价

更多FDB5800_F085供应商更新时间2025-7-26 10:31:00

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