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FDI3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：325.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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FDP3652	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GPDR3652	文件：150.43 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERDIODE	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
GPDR3652	文件：112.75 Kbytes Page：1 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE VOLTAGEUPTO2400V AVERAGECURRENT6520A SURGECURRENT60kA	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
HP-3652-B	文件：179.54 Kbytes Page：2 Pages	HANDHELDPLASTICSTYLE2	BUD Bud Industries, Inc.	BUD
JHV3652	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
KDB3652	文件：53.27 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET Features ●rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A ●Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LT3652	文件：433.85 Kbytes Page：40 Pages	HighVoltageHighCurrentControllerforBatteryChargingandPowerManagement	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

详细参数

型号：
FDB3652_Q
功能描述：
MOSFET N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDB3652_Q供应商更新时间2025-5-11 9:18:00

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