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FDB4030L	文件：329.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDB4030L	文件：99.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4030L	文件：99.04 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP4030L	文件：329.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FP4030-D	文件：47.56 Kbytes Page：1 Pages	Swingdoor/Frontplate,forenclosures Remarks:415x315x170	FIBOXFIBOX Enclosing innovations 菲宝斯广州菲宝克斯工程塑料有限公司	FIBOX
FWA-4030	文件：952.07 Kbytes Page：2 Pages	2URackmountNetworkAppliancePlatformbasedonIntel®Xeon®E3seriesand6th/7thgenerationIntel®Core™i7/i5/i3Processors,upto4NMCslots Features Intel®Xeon®E3-1200v5/v6familyand6th/7thgen.Intel®Core™i7/i5/i3 processors,Intel®Pentium®andIntel®Celeron®Processor 4xDDR42133/2400MHzECC(XeonCPUonly)UDIMMs,upto64GB 6xInteli210-AT10/100/1000MbpsLANonboardwithupto2bypass segments 4	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
HCC4030B	文件：276.82 Kbytes Page：12 Pages	QUADEXCLUSIVE-ORGATE DESCRIPTION TheHCC4030B(extendedtemperaturerange)andHCF4030B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuit,availablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. ■MEDIUM-SPEEDOPERATION–tPHL=tPLH=60ns(typ.)@CL=50pFandVDD	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4030B	文件：141.35 Kbytes Page：13 Pages	RadHardenedhighvoltagecomplementaryMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4030BD	文件：303.47 Kbytes Page：24 Pages	Rad-hardhighvoltageCMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4030BF	文件：276.82 Kbytes Page：12 Pages	QUADEXCLUSIVE-ORGATE DESCRIPTION TheHCC4030B(extendedtemperaturerange)andHCF4030B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuit,availablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. ■MEDIUM-SPEEDOPERATION–tPHL=tPLH=60ns(typ.)@CL=50pFandVDD	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
FDB4030L
功能描述：
MOSFET TO-263
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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