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FDB4030L	文件：329.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：329.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB4030L	文件：99.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：99.04 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDB4030L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDP4030L	文件：99.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：99.04 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP4030L	文件：329.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =35mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：329.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FP4030-D	文件：47.56 Kbytes Page：1 Pages	Swing door/Front plate, for enclosures Remarks : 415x315x170 文件：47.56 Kbytes 页数：1 Pages	FIBOX 菲宝斯	FIBOX

详细参数

型号：
FDB4030L
功能描述：
MOSFET TO-263
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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