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FDB6035AL	文件：93.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB6035AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDB6035L	文件：413.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD6035	文件：119.89 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ·46A,30VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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详细参数

型号：
FDB6035AL
功能描述：
MOSFET N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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