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FDD6690	文件：61.75 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •46A,30VRDS(ON)=12m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6690A	文件：330.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6690A	文件：117.27 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6690A	文件：61.75 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •46A,30VRDS(ON)=12m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6690A	文件：2.21407 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=30V,ID=80A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6690S	文件：930.3 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDP6690	文件：88.46 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6690SincludesanintegratedSchottkydi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6690S	文件：88.46 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP6690SincludesanintegratedSchottkydi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6690S	文件：333.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS6690	文件：203.64 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisNChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheMOSFETfeaturesfasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcompar	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDB6690S_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	FDB6690SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	25+	D2-PAKTO-263	54558	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
深圳市一线半导体有限公司	FDB66N15	FAIRCHILD	24+	TO-263(D2PAK)	8866		询价
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更多FDB6690S_Q供应商更新时间2025-7-25 20:00:00

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