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FDD6676	文件：331.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=78A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6676	文件：1.04327 Mbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6676	文件：85.88 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed.extremelylowRDS(ON	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676A	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676AS	文件：930.3 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6676AS	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676AS_NL	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676S	文件：986.8 Kbytes Page：4 Pages	N-channelAdvancedModePowerMOSFET Features VDS=40V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD6676S	文件：121.33 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheFDS6676SisdesignedtoreplaceaDPAKMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676SincludesanintegratedSchottkydiodeusing	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676S	文件：331.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=78A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FDB6676S_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FDB6676SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	FDB6676SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-263	2040	原装现货假一赔十	询价
深圳市博中泰实业有限公司	FDB6676SMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-263	60000		询价
深圳市一线半导体有限公司	FDB667G	FSC	24+	TO-263	46		询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FDB66870AL	fairchild	1709+	to-263/d2	32500	普通	询价
深圳市鹏和科技有限公司	FDB6688	FCS	24+	TO-263	5000	只做原装公司现货	询价
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更多FDB6676S_Q供应商更新时间2025-7-25 11:00:00

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