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FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP603AL	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FG603	文件：198.82 Kbytes Page：2 Pages	6.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERSLOWCOSTLOWLEAKAGE	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FGM603	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	SelectionGuide SANKENIGBT FGT313,FGT312,FGT412,FGT612,FGM622S,FGM603,FGM623S,MGD623N,MGD623S	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FR603	文件：196.65 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-6.0Amperes Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ●Fastswitchingforhighefficiency ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●6.0ampereoperationatTA=75withn	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
FR603	文件：33.37 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS Features •Axialleadtypedevicesforthroughholedesign. •Highcurrentcapability. •Fastswitchingforhighefficiency. •Highsurgecapability. •Siliconrubbercoatingchipjunction. •Lead-freepartsmeetRoHSrequirments. •Suffix-HindicatesHalogen-freeparts,ex.FR601-H.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FR603	文件：152.53 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES
FR603	文件：414.2 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFFASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-6.0Amperes FEATURES Fastswitching Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highcurrenfsurge Highreliability	DCCOM Dc Components	DCCOM

详细参数

型号：
FDB603AL_Q
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	FDB603ALMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	25+	D2-PAKTO-263	54558	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
深圳庞田科技有限公司	FDB603AL-NL	FAIRCHIL	2023+环保现货	TO-263	18000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FDB603AL-NL	FAIRCHIL	2023+	TO-263	50000	原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	FDB603OBL	FAIRCHILD	24+		30000		询价
深圳市百诺芯科技有限公司	FDB603OBL	FAIRCHILD/仙童	23+	D2-PAKTO-263	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	FDB603OBL	FAIRCHILD/仙童	21+	D2-PAKTO-263	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FDB604	DEC	23+		10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛美科科技有限公司	FDB6040L	FAIRCHILD		TO-263	68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FDB6044G	FAIRCHILD/仙童	22+	D2-PAKTO-263	18000	原装正品	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	FDB6060L	FAIRCHIL	24+	TO-263	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价

更多FDB603AL_Q供应商更新时间2025-7-26 9:36:00

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