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AO4474	文件：112.84 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4474usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasahighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications.StandardProductAO4474isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4474Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4474	文件：1.0065 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ECQE4474	文件：352.09 Kbytes Page：19 Pages	PlasticFilmCapacitors MetallizedPolyesterFilmCapacitor Non-inductiveconstructionusingmetallizedPolyesterfilmwithflameretardantepoxyresincoating ■Features •Self-healingproperty •Excellentelectricalcharacteristics •Flameretardantepoxyresincoating •RoHSdirectivecompliant ■RecommendedAp	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
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ECQE4474F	文件：173.29 Kbytes Page：9 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitor MetallizedPolyesterFilmCapacitor Non-inductiveconstructionusingmetallizedPolyesterfilmwithflameretardantepoxyresincoating ■Features •Self-healingproperty •Excellentelectricalcharacteristics •Flameretardantepoxyresincoating •RoHSdirectivecompliant ■RecommendedAp	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
AO4474
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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