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AO4613

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4613usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications.ItisESDprotected.StandardproductAO4613isPb-free(m

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4613

Marking:4613;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=7.2A(VGS=10V) RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO4613

30V Dual P N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4613-HF

Marking:4613;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=7.2A(VGS=10V) RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO4613L

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4613usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications.ItisESDprotected.StandardproductAO4613isPb-free(m

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4613_10

30V Dual P N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

E4613AA

DC/DCConverters

HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD

北陆电气工业日本北陆电气工业柱式会社

KO4613

ComplementaryTrenchMOSFET

■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=7.2A(VGS=10V) RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KO4613-HF

ComplementaryTrenchMOSFET

■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=7.2A(VGS=10V) RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KUWTN-4613

Plug-inSignalConditionersK-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

详细参数

  • 型号:

    AO4613

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 30V 7.2/6.1A 8SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS(万代)
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更多AO4613供应商 更新时间2025-5-24 10:21:00