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AO4806L	文件：117.85 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4806 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 12V. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitat 文件：117.85 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
C4806	文件：219.43 Kbytes Page：3 Pages	AC input 1 or 3-phase, 47 - 400 Hz 文件：219.43 Kbytes 页数：3 Pages	POWERBOX	POWERBOX
DW4806	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS 文件：5.88919 Mbytes 页数：24 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DW4806B	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS 文件：5.88919 Mbytes 页数：24 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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更多AO4806L供应商更新时间2025-10-11 10:31:00