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AO4821	文件：116.85 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4821 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO4821 is Pb-free (meets ROH 文件：116.85 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4821	文件：1.40272 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4821；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -12V ● ID = -9 A (VGS = -4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.40272 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4821	文件：2.07735 Mbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Advanced High Cell Density Process • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switching 文件：2.07735 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4821	文件：266.83 Kbytes Page：5 Pages	12V Dual P-Channel MOSFET 文件：266.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4821	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4821-HF	文件：1.8334 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4821；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -12V ● ID = -9 A (VGS = -4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.8334 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4821L	文件：116.85 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4821 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO4821 is Pb-free (meets ROH 文件：116.85 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4821_10	文件：266.83 Kbytes Page：5 Pages	12V Dual P-Channel MOSFET 文件：266.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Package：
SOIC-8
Configuration：
Dual - P
Vds/V：
-12
Vgs/V：
8
Id(A)(25℃)：
-9
Id(A)(75℃)：
-7
Pd(W)(25℃)：
2
Pd(W)(75℃)：
1.28
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
0
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
19
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
24
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
30
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
19

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