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AO4821规格书详情
General Description
The AO4821 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO4821 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4821L is a Green Product ordering option. AO4821 and AO4821L are electrically
特性 Features
VDS (V) = -12V
ID = -8 A (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -4.5V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = -2.5V)
RDS(ON) < 29mΩ (VGS = -1.8V)
ESD Rating: 4KV HBM
产品属性
- 型号：
AO4821
- 功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ALPHA |
23+ |
NA |
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23+ |
SOP-8 |
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AOS |
23+ |
SOP8 |
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AO |
24+ |
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AOS/万代 |
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SOP-8 |
188600 |
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AOS |
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SOP8 |
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AOS/万代 |
24+ |
SOP-8 |
200000 |
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