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AO4812	文件：115.56 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. AO4812 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO 文件：115.56 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4812	文件：1.02704 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Set Top Box • Low Current DC/DC 文件：1.02704 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4812	文件：1.12945 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4812；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 6A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.12945 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4812	文件：261.339 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：261.339 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4812	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N+N MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
AO4812	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AO4812	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO4812A	文件：113.41 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4812A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. AO4812A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4 文件：113.41 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4812-HF	文件：1.81028 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4812；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 6A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.81028 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4812L	文件：115.56 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. AO4812 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO 文件：115.56 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
30
4.5V：
42
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
6
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
2.55
Qg (10V)(nC)：
5.20
VGS(th) max (V)：
2.40
Ciss (pF)：
255
Coss (pF)：
45
Crss (pF)：
35
Qgd (nC)：
1.30
tD(on) (ns)：
4.50
tD(off) (ns)：
14.50
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.20
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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