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AO4826	文件：420.67 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON) 文件：420.67 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4826	文件：368.82 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features VDS = 60V ID =6.3 A RDS(ON) 文件：368.82 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4826	文件：111.3 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4826 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4826L is a Green Product order 文件：111.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4826	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4826	文件：1.08332 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08332 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4826	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Dual-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4826-HF	文件：1.74627 Mbytes Page：4 Pages	丝印：4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID = 6.3A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.74627 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4826L	文件：111.3 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4826 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4826 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4826L is a Green Product order 文件：111.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4826_10	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET 文件：170.3 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Status：
Last Time Buy
Package：
SOIC-8
Configuration：
Dual - N
Vds/V：
60
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
6.3
Id(A)(75℃)：
5
Pd(W)(25℃)：
2
Pd(W)(75℃)：
1.28
Rds (on) mΩ max(10V)：
25
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
30
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
0
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
24.2

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