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AO4826	文件：111.3 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4826usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4826isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4826LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4826	文件：420.67 Kbytes Page：8 Pages	Marking：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GeneralFeatures VDS=60VID=6.3A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4826	文件：368.82 Kbytes Page：8 Pages	Marking：AO4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4826usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.This deviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWM applications. GeneralFeatures VDS=60VID=6.3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4826	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4826	文件：1.08332 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4826-HF	文件：1.74627 Mbytes Page：4 Pages	Marking：4826；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=6.3A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4826L	文件：111.3 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4826usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4826isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4826LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4826_10	文件：170.3 Kbytes Page：4 Pages	60V Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4826
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 60V 6.3A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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